IRFB7534PBF vs IRFB52N15DPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB7534PBF por Infineon e IRFB52N15DPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB7534PBF IRFB52N15DPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7534PBF —
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Encapsulamento TO-220AB —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Status RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 51 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 204 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 32 mOhm at VGS=10V
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 230 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Package Type — TO-220AB (through-hole)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard — Industrial market (per IR/Infineon)

Fichas técnicas e recursos

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