IRFH5020TRPBF vs IRF7469TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5020TRPBF por Infineon e IRF7469TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5020TRPBF IRF7469TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,37
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
Dissipação de potência (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ max) -55°C to +150°C (Tj)
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Nível MSL 1 (per industry standard for PQFN-8) 1 (unlimited)
Technology — IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Encapsulamento — 8-SO (SOIC-8)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Fichas técnicas e recursos

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