IRFR5305TRLPBF vs IRFR1205TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5305TRLPBF por Infineon e IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5305TRLPBF IRFR1205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,49
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] 2 V min, 4 V max
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Status RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Fichas técnicas e recursos

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