IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR6215TRLPBF por Infineon e IRFR6215TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Nível MSL 1 MSL1
Status RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -13 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 110 W
On-Resistance (RDS(on) max) — 0.295 ohm at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
REACH Status — Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fichas técnicas e recursos

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