IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR6215TRLPBF 제조: Infineon 및 IRFR6215TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $0.65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
패키지 TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
MSL 레벨 1 MSL1
RoHS 상태 Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -13 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 110 W
On-Resistance (RDS(on) max) — 0.295 ohm at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
동작 온도 범위 — -55C to +175C
REACH Status — Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청