IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR6215TRLPBF от Infineon и IRFR6215TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF - 150V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A | Infineon

IRFR6215TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Уровень MSL 1 MSL1
Статус RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -13 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 110 W
On-Resistance (RDS(on) max) — 0.295 ohm at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
REACH Status — Compliant
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену