IRLML2803TRPBF vs IRLML6246TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML2803TRPBF por Infineon e IRLML6246TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Nível MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (Pb-free)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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