IRLML2803TRPBF vs IRLML6246TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLML2803TRPBF от Infineon и IRLML6246TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,13 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Корпус Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Уровень MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (Pb-free)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену