IRLML2803TRPBF vs IRLML6246TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLML2803TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML6246TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLML2803TRPBF | IRLML6246TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.13 | $0.11 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | IRLML6246TRPBF |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| 패키지 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | SOT-23 (Micro3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| MSL 레벨 | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | Yes (Pb-free) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 4.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 46 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.1 V (logic-level) |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 1.3 W |
| 할로겐 프리 | — | Yes |