IRLML6246TRPBF vs IRLML2030TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML6246TRPBF por Infineon e IRLML2030TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 154 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Encapsulamento SOT-23 (Micro3) Micro3 (SOT-23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Yes (lead-free, halogen-free)
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Fichas técnicas e recursos

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