IRLTS2242TRPBF vs IRFR5305TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLTS2242TRPBF por Infineon e IRFR5305TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLTS2242TRPBF IRFR5305TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,32
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulamento TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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