K3KL8L80QM-MUCT vs K3LKCKC0BM-MGCP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3KL8L80QM-MUCT por Samsung Electronics e K3LKCKC0BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3KL8L80QM-MUCT | K3LKCKC0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,40 | $65,63 |
| Tipo de memória | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb (4 GB) | 64 Gbit (8 GB) |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | 2G x32 |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | 6400 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| Encapsulamento | FBGA (original package, 315-ball class) | FBGA-315 (PBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Interface | LPDDR5X channel interface | CMOS, LPDDR5 |
| Series | LPDDR5X | — |
| Marca | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDD2/other rails) | — | 1.8 V, 900 mV, 500 mV |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Product Family | — | Samsung LPDDR5 |
| Bandwidth (per Samsung LPDDR5 family) | — | 51.2 GB/s (family-level, 6400 Mbps pin speed) |
| Power Saving (family feature) | — | Up to 20% power saving vs previous generation (Samsung LPDDR5 family) |
| Unit Price | — | USD 57.7195 (LCSC, as of 2026-09-04) |