K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BICR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,96 | $4,25 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensão de alimentação | 1.2V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Taxa de dados | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Latência CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Contagem de pinos | — | 78 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |