K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BICR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,96 | $4,25 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Latencia CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Recuento de pines | — | 78 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |