K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BCRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,25 $6,80
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Taxa de dados 2400 Mbps 2400 Mbps
Tensão de alimentação 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Contagem de pinos 78 —
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Temperatura de operação — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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