K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BCRC 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BICR 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BCRC 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 量产中
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K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.25 $6.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
存储组织 1G x 8 1G x 8
数据速率 2400 Mbps 2400 Mbps
电源电压 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
封装 78-ball FBGA 78-ball FBGA
引脚数量 78 —
安装类型 Surface Mount —
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
工作温度范围 [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
工作温度 — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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