K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics e K4A8G085WB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,80 | $5,20 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-pin FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 78 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interface | Parallel | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |