K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BITD от Samsung Electronics и K4A8G085WB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,80 | $5,20 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 78FBGA | 78-pin FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 78 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |