K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics e AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G165WB-BCTD AS4C512M16D4A-62BCN
Marca Samsung Electronics Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $37,00 $7,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Total Density 8 Gb —
Taxa de dados 2666 Mbps/pin (PC4-2666) 1600 MHz (3200 Mbps)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperatura de operação 0°C to +95°C (TC) 0°C to 95°C
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL value] 18 ns
tRCD [DATA_NEEDED: tRCD value] —
tRP [DATA_NEEDED: tRP value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Tipo de montagem — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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