K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics y AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $37,00 | $7,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 18 ns |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Interfaz | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |