K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WB-BCTD AS4C512M16D4A-62BCN
Marque Samsung Electronics Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $37,00 $7,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Total Density 8 Gb —
Débit de données 2666 Mbps/pin (PC4-2666) 1600 MHz (3200 Mbps)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Boîtier 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Température de fonctionnement 0°C to +95°C (TC) 0°C to 95°C
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL value] 18 ns
tRCD [DATA_NEEDED: tRCD value] —
tRP [DATA_NEEDED: tRP value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Taille de mémoire — 8 Gbit
Type de montage — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis