K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WM-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4AAG165WM-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $22,60 | $23,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Interface | DDR4 (SSTL-12) | 16-bit I/O |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0°C to +95°C (case) |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latência CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |