K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG165WM-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG165WM-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $22.60 | $23.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| 인터페이스 | DDR4 (SSTL-12) | 16-bit I/O |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0°C to +95°C (case) |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |