K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4AAG165WM-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4AAG165WM-BCRC K4A8G165WC-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $22.60 $23.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 16 512M x 16
データレート 3200 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
インターフェース DDR4 (SSTL-12) 16-bit I/O
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0°C to +95°C (case)
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
RoHS ステータス Compliant —
VPP Voltage — 2.5 V
Banks — 16 (4 bank groups)
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — Programmable (e.g., 16, 17, 18)
Refresh — Temperature-compensated self-refresh (TCSR)
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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