K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 AUT:J Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics e MT41K64M16TW-107 AUT:J por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Ativo
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4B4G1646E-BYK000 MT41K64M16TW-107 AUT:J
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,56 $2,85
Tipo de memória DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória 4 Gbit 1 Gbit
Organização da memória 256M x 16 64M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Encapsulamento 96-FBGA (BYK) 96-FBGA (8 x 14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel Parallel
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Recursos Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time 1.25 ns 20 ns
Tensão de alimentação — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible
Temperature Grade — AUT (automotive)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Taxa de dados — 1866 MT/s (DDR3L-1866)
Termination — On-Die Termination (ODT)
Packaging — Tray (T/R per listing)

Fichas técnicas e recursos

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