K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RBH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $44,55 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Taxa de dados 5600 Mbps [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)]
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Interface DDR5 (parallel) Parallel, DDR5
Encapsulamento FBGA-82 82-FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) DDR5 SDRAM
Speed Grade BCWM —
Temperatura de operação Commercial temperature range (per datasheet) 0 C to 85 C
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Status do ciclo de vida Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Product Status — Mass Production
Memory Format — Volatile (DRAM)
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
On-Die ECC — Yes (per JEDEC DDR5 specification)

Fichas técnicas e recursos

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