K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RBH086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $44,55 $0,00
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)]
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Интерфейс DDR5 (parallel) Parallel, DDR5
Корпус FBGA-82 82-FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) DDR5 SDRAM
Speed Grade BCWM —
Рабочая температура Commercial temperature range (per datasheet) 0 C to 85 C
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Статус жизненного цикла Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Product Status — Mass Production
Memory Format — Volatile (DRAM)
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
On-Die ECC — Yes (per JEDEC DDR5 specification)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену