K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RBH086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성
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K4RBH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM - DDR5 16Gb DRAM 2Gx8 FBGA-82 | Samsung

K4RBH086VB-BCWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RAH086VB-BCWM K4RBH086VB-BCWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $44.55 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
데이터 속도 5600 Mbps [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)]
공급 전압 1.1 V 1.1 V
인터페이스 DDR5 (parallel) Parallel, DDR5
패키지 FBGA-82 82-FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) DDR5 SDRAM
Speed Grade BCWM —
동작 온도 Commercial temperature range (per datasheet) 0 C to 85 C
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
수명 주기 상태 Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Product Status — Mass Production
Memory Format — Volatile (DRAM)
Manufacturer — Samsung Semiconductor
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
On-Die ECC — Yes (per JEDEC DDR5 specification)

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