K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VP-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics e K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,25 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 8 | — |
| Taxa de dados | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps/pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Encapsulamento | 82FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | Parallel |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Status RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | unknown |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Tamanho da memória | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Status do ciclo de vida | — | Active |