K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VP-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VP-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.25 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps/pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| 패키지 | 82FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| 인터페이스 | DDR5 (CA reduced pin count) | Parallel |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | unknown |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| 수명 주기 상태 | — | Active |