K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VP-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps/pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Boîtier | 82FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | Parallel |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | unknown |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| Statut du cycle de vie | — | Active |