K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VP-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,65 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 8 | — |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 5600 Mbps/pin |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulamento | 82 FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | Parallel |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | Industrial |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Status RoHS | unknown | unknown |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Tamanho da memória | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Status do ciclo de vida | — | Active |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |