K9EUGY8S0M-BCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K9EUGY8S0M-BCK0 por Samsung Electro-Mechanics e K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electro-Mechanics
K9EUGY8S0M-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung
K9EUGY8S0M-BCK0 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K9EUGY8S0M-BCK0 | K9IUGY8J7B-CCK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | EEPROM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $1,00 |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Product Family | K9-series V-NAND Flash | — |
| Tipo de memória | NAND Flash (non-volatile) | NAND Flash, 3D V-NAND TLC |
| Density | [DATA_NEEDED: memory density] | — |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization x8/x16] | — |
| Cell Type | [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC] | TLC (3 bits per cell) |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: VCC voltage] | — |
| VCCQ Voltage | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: read access time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | — |
| Erase Time (tBERS) | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Encapsulamento | [DATA_NEEDED: package type and dimensions] | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packing | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel] | — |
| Memory Density | — | 1 Tb (Tera bit) |
| V-NAND Generation | — | V6 (6th generation) |
| Process Node / Layer Count | — | 4448-128L (128-layer) |
| Tipo de interface | — | [DATA_NEEDED: bus interface type] |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC voltage] |
| Supply Voltage (VCCQ) | — | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] |
| Largura do barramento de dados | — | [DATA_NEEDED: data bus width] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: exact package code] |