K9KUGY8J7C-BCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9KUGY8J7C-BCK0 por Samsung Electronics e K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ Ativo
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K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9KUGY8J7C-BCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,55 $1,00
Tipo de memória NAND Flash (TLC V-NAND) NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Density 1 Tb —
Organização da memória [DATA_NEEDED: page/block organization] —
Cell Type TLC (3 bits/cell) TLC (3 bits per cell)
Tipo de interface [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode] [DATA_NEEDED: bus interface type]
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range in V] [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range in V] [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Page Size [DATA_NEEDED: page size in KB] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type BGA [DATA_NEEDED: exact package code]
Package Code [DATA_NEEDED: package code / ball count] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range in C] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Grade Suffix BCK0 —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Largura do barramento de dados — [DATA_NEEDED: data bus width]

Fichas técnicas e recursos

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