K9KUGY8J7C-BCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 비교
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Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K9KUGY8J7C-BCK0 | K9IUGY8J7B-CCK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.55 | $1.00 |
| 메모리 유형 | NAND Flash (TLC V-NAND) | NAND Flash, 3D V-NAND TLC |
| Density | 1 Tb | — |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: page/block organization] | — |
| Cell Type | TLC (3 bits/cell) | TLC (3 bits per cell) |
| 인터페이스 유형 | [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode] | [DATA_NEEDED: bus interface type] |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range in V] | [DATA_NEEDED: VCC voltage] |
| Supply Voltage (VCCQ) | [DATA_NEEDED: VCCQ range in V] | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size in KB] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E endurance] | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] |
| Package Type | BGA | [DATA_NEEDED: exact package code] |
| Package Code | [DATA_NEEDED: package code / ball count] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range in C] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Grade Suffix | BCK0 | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Memory Density | — | 1 Tb (Tera bit) |
| V-NAND Generation | — | V6 (6th generation) |
| Process Node / Layer Count | — | 4448-128L (128-layer) |
| 데이터 버스 폭 | — | [DATA_NEEDED: data bus width] |