K9LCG08U1M vs K9MDG08U5M Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K9LCG08U1M por Samsung Electronics e K9MDG08U5M por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K9LCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Flash | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $11,85 | $35,50 |
| Tipo de memória | NAND Flash, MLC | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 16 Gbit (2 GB) |
| Organização da memória | x8 I/O | 16G x 8 bit |
| Interface | Asynchronous multiplexed NAND I/O | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | MLC (2 bits per cell) |
| Encapsulamento | BGA | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Status RoHS | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |