K9T1G08U0M-PIB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9T1G08U0M-PIB0 por Samsung Electronics e MT29F1G08ABAEAWP-IT:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9T1G08U0M-PIB0 K9T1G08U0M-PIB0 - 1Gbit SLC NAND Flash, TSOP-I | Samsung

K9T1G08U0M-PIB0 - 1Gbit SLC NAND Flash, TSOP-I | Samsung

K9T1G08U0M-PIB0 Nrnd
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9T1G08U0M-PIB0 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $1,60
Tipo de memória Non-volatile NAND Flash (SLC) —
Density 1 Gbit (128 MB) —
Organização da memória 128M x 8 bit 128M x 8
Cell Technology SLC (Single-Level Cell) —
Interface Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus Parallel
Page Size 2 Kbytes + 64 bytes spare area 2048 bytes + 64 bytes spare
Block Size 128 Kbytes (64 pages per block) 128 KB
VCC Supply Voltage 2.7 V to 3.6 V —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] -40C to +85C
Encapsulamento 48-pin TSOP Type I (WSOP1) TSOP-48
Pb-Free (Lead-Free) Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free variant) —
Endurance (P/E Cycles) [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention spec] 10 years
Programming Time per Page [DATA_NEEDED: typical tPROG] —
Block Erase Time [DATA_NEEDED: typical tBERS] —
Tipo de montagem Surface Mount (TSOP) Surface Mount
Command Set Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) —
Tamanho da memória — 1 Gbit (128 MB)
Tensão de alimentação — 3.3 V
Access Time — 25 ns
Program Time — 200 us (typical)
Erase Time — 2 ms (typical)
Endurance — 100K program/erase cycles
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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