K9T1G08U0M-PIB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9T1G08U0M-PIB0 제조: Samsung Electronics 및 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9T1G08U0M-PIB0 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | NRND | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.60 |
| 메모리 유형 | Non-volatile NAND Flash (SLC) | — |
| Density | 1 Gbit (128 MB) | — |
| 메모리 구성 | 128M x 8 bit | 128M x 8 |
| Cell Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| 인터페이스 | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus | Parallel |
| Page Size | 2 Kbytes + 64 bytes spare area | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Block Size | 128 Kbytes (64 pages per block) | 128 KB |
| VCC Supply Voltage | 2.7 V to 3.6 V | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] | -40C to +85C |
| 패키지 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) | TSOP-48 |
| Pb-Free (Lead-Free) | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free variant) | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention spec] | 10 years |
| Programming Time per Page | [DATA_NEEDED: typical tPROG] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: typical tBERS] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (TSOP) | Surface Mount |
| Command Set | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) | — |
| 메모리 크기 | — | 1 Gbit (128 MB) |
| 공급 전압 | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| RoHS 상태 | — | Compliant |