M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F160FB55N3E2 por Micron Technology e M29F160FT55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Ativo
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M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,72 $0,00
Tipo de memória NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits
Organização da memória 1 M x 16 / 2 M x 8 —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Interface Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulamento 48-TSOP I 48-TSOP I
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant (E suffix)
Lead Free Status Lead Free —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
Tensão de alimentação — 5 V
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

Fichas técnicas e recursos

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