M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3E2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F160FB55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29F160FT55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3E2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.72 $0.00
메모리 유형 NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits
메모리 구성 1 M x 16 / 2 M x 8 —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
인터페이스 Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
동작 온도 -40 C to +125 C -40C to +125C
패키지 48-TSOP I 48-TSOP I
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS 상태 ROHS3 Compliant Compliant (E suffix)
Lead Free Status Lead Free —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
공급 전압 — 5 V
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

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