M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3E2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F160FB55N3E2 от Micron Technology и M29F160FT55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3E2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,72 $0,00
Тип памяти NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits
Организация памяти 1 M x 16 / 2 M x 8 —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Интерфейс Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I 48-TSOP I
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Статус RoHS ROHS3 Compliant Compliant (E suffix)
Lead Free Status Lead Free —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
Напряжение питания — 5 V
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену