M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3E2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F160FB55N3E2 por Micron Technology y M29F160FT55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | M29F160FB55N3E2 | M29F160FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,72 | $0,00 |
| Tipo de memoria | NOR Flash - Parallel, Asynchronous | NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits |
| Organización de memoria | 1 M x 16 / 2 M x 8 | — |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom Boot Block (FB) | Top Boot Block |
| Programming Algorithm | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant (E suffix) |
| Lead Free Status | Lead Free | — |
| Memory Organization | — | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) |
| Tensión de alimentación | — | 5 V |
| Temperature Grade | — | Automotive Grade 3 |
| Bus Width | — | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) |
| Program/Erase | — | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) |
| Factory Erase State | — | All bits erased to 1 |