M29W160EB80ZA3SE vs M29W160FB70N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160EB80ZA3SE por Micron Technology e M29W160FB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Ativo
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160EB80ZA3SE M29W160FB70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,35 $3,58
Tipo de memória NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
Tamanho da memória 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 80 ns 70 ns
Interface Parallel (Byte-wide / Word-wide) Parallel
Tensão de alimentação 2.7 V to 3.6 V —
Organização da memória 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable —
Temperatura de operação -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Qualification AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) —
Programming Supply Single 3V supply for program, erase and read —
Technology Family M29W160EB (3rd generation M29W series) —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Erase Block Architecture Boot block (parameter and main blocks) —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Pb-free (SE suffix) —
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
Encapsulamento / Caixa — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação