M29W160EB80ZA3SE vs M29W160FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB80ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W160FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160EB80ZA3SE | M29W160FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.35 | $3.58 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 80 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel (Byte-wide / Word-wide) | Parallel |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| 메모리 구성 | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) | — |
| Programming Supply | Single 3V supply for program, erase and read | — |
| Technology Family | M29W160EB (3rd generation M29W series) | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Erase Block Architecture | Boot block (parameter and main blocks) | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS 상태 | Pb-free (SE suffix) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 3.0 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | — | Single supply (no separate VPP required) |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Architecture | — | Boot block |
| 패키지 / 케이스 | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Status Output | — | Data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes (boot block protection) |