M29W400FT55N3F vs M29F800FT55N3F2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W400FT55N3F por Micron Technology e M29F800FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W400FT55N3F | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,92 | $0,78 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Tamanho da memória | 4 Mbit | 8 Mbit |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Bus Configuration | x8 / x16 (BYTE-selectable) | — |
| Organização da memória | 4Mbit, block-organized, top boot block | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Program/Erase | Block erase, word/byte program | — |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-pin TSOP |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5 V (single supply) |
| Suspend/Resume | Erase/program suspend and resume | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (T/R) |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Prefix F in MPN | Pb-free package suffix | — |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |