MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology e K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ AtivoSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT40A512M16LY-075:E | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,80 | $6,55 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Taxa de dados | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Latência CAS | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96FBGA |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Temperatura de operação | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |