MT40A512M8RH-075E:B vs MT40A512M8RH-083E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology e MT40A512M8RH-083E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-083E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,15 $3,30
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2666 MT/s (DDR4-2666) —
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Tipo de interface Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain 1.2 V pseudo open-drain
Tensão de referência On-die internal adjustable VREFDQ generation —
Encapsulamento 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] 0C to +95C
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Speed Grade Suffix -075E —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

Fichas técnicas e recursos

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