MT40A512M8RH-075E:B vs MT40A512M8RH-083E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology et MT40A512M8RH-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-083E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $3,30
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Débit de données 2666 MT/s (DDR4-2666) —
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Type d'interface Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain 1.2 V pseudo open-drain
Tension de référence On-die internal adjustable VREFDQ generation —
Boîtier 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] 0C to +95C
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Speed Grade Suffix -075E —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

Fiches techniques et ressources

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