MT41K256M16TW-107:P - SDRAM DDR3L de 4Gb 933MHz | Micron
N.º da peça: MT41K256M16TW-107:P ✓ Ativo| Qtd. | Preço unitário | Total |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19,42 |
| 10 | $18.5 | $185,00 |
| 100 | $17.6 | $1.760,00 |
| 500 | $16.8 | $8.400,00 |
| 1.000 | $16 | $16.000,00 |
MT41K256M16TW-107:P Visão geral
O SDRAM DDR3L (Double Data Rate 3 Low Voltage) é um tipo de memória de acesso aleatório dinâmica síncrona que opera a uma tensão mais baixa (1,35V) em comparação com o DDR3 padrão (1,5V), reduzindo o consumo de energia em até 20% enquanto mantém desempenho semelhante. Faz parte da família DDR3, que usa sinalização de dupla taxa de dados para transferir dados em ambas as bordas do clock, e é amplamente utilizada em servidores, laptops e sistemas embarcados. O DDR3L é compatível com slots DDR3, tornando-o uma escolha versátil para upgrades e novos designs.
As principais características incluem densidade de 4Gbit, barramento de dados de 16 bits, velocidade de clock de 933 MHz e suporte para temporização DDR3L-1866 padrão JEDEC. O dispositivo inclui auto self-refresh, auto precharge, write leveling, terminação dinâmica on-chip (ODT) e calibração ZQ, garantindo integridade de sinal e operação confiável. Opera em uma faixa de temperatura de 0°C a +95°C, tornando-o adequado para ambientes comerciais e industriais.
Tecnicamente, o MT41K256M16TW-107:P usa um processo CMOS de alto desempenho e apresenta latência CAS programável de 11, 12, 13 e 14, com comprimento de burst de 8 e burst chop de 4. Suporta terminação on-die (ODT) para melhor integridade de sinal e inclui uma DLL para alinhamento preciso de clock. O dispositivo está em conformidade com RoHS e é livre de chumbo, atendendo aos padrões ambientais.
Aplicações típicas incluem computação de alto desempenho, equipamentos de rede, automação industrial e sistemas embarcados onde baixo consumo e alta largura de banda são críticos. Sua operação em 1,35V reduz a carga térmica, tornando-o ideal para designs compactos e sensíveis a energia.
Ao projetar com este dispositivo, garanta capacitores de desacoplamento adequados próximos aos pinos de alimentação e siga as diretrizes de layout no datasheet para minimizar problemas de integridade de sinal. O dispositivo requer uma alimentação estável de 1,35V e terminação cuidadosa das linhas de endereço/controle.
Alternativas drop-in para MT41K256M16TW-107:P — mesmo encapsulamento, compatível pino a pino. Peças de encapsulamento diferente que exigem retrabalho na PCB são excluídas.
Variantes desta série
Modelos da mesma série compatíveis como drop-in com MT41K256M16TW-107:P (mesmo formato e footprint) — diferindo em Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
Ferramenta de comparação rápida — selecione peças alternativas para comparação lado a lado:
MT41K256M16TW-107IT:P
✅ Drop-In📋 Alternativa de referência (fora do catálogo)
MT41K256M16TW-107AIT:P
✅ Drop-In📋 Alternativa de referência (fora do catálogo)
MT41K256M16HA-125XIT:E
✅ Drop-In📋 Alternativa de referência (fora do catálogo)
K4B4G1646D-BYMA
✅ Drop-In📋 Alternativa de referência (fora do catálogo)
AS4C256M16D3LC-10BCN
✅ Drop-In📋 Alternativa de referência (fora do catálogo)
MT41K256M16TW-107:P Classificações máximas e características elétricas
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Taxa de dados | 1866 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| Latência CAS | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
Configuração de pinos do MT41K256M16TW-107:P
| Pino A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| Pino A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| Pino A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| Pino A4 | VSS — Ground |
| Pino B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| Pino B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| Pino B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| Pino B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| Pino C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| Pino C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| Pino C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| Pino C4 | VSS — Ground |
Aplicações típicas
MT41K256M16TW-107:P é adequado para 6 aplicaçãos: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
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Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
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Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
Recomendado
Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
Recomendado
Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
Recomendado
Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
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Resumo dos produtos recomendados
Dados de referência de engenharia para MT41K256M16TW-107:P — comparação, orientação de projeto e informações de conformidade.
Guia de seleção
Comparação com alternativas
| Parâmetro | Este produto | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
Principais diferenciais
- Taxa de dados mais alta (1866 MT/s) em comparação com MT41K256M16HA-125XIT:E (1600 MT/s) (vs MT41K256M16HA-125XIT:E)
- Tensão mais baixa (1,35V) em comparação com DDR3 padrão (1,5V) (vs Peças DDR3 padrão)
- Grau de temperatura industrial disponível (MT41K256M16TW-107IT:P) (vs K4B4G1646D-BYMA)
Notas de projeto
O MT41K256M16TW-107:P requer uma alimentação estável de 1,35V. Use capacitores cerâmicos de baixo ESR (0,1uF e 1uF) colocados próximos a cada pino VDD e VDDQ para minimizar a ondulação de tensão. Garanta que o plano de alimentação tenha baixa impedância na faixa de frequência de interesse.
Siga as diretrizes de layout no datasheet da Micron para roteamento DDR3L. Iguale os comprimentos das trilhas para DQ, DQS e sinais de endereço/controle para manter a integridade de sinal. Use trilhas de impedância controlada (tipicamente 40-60 ohms) e forneça terminação adequada para as linhas de endereço/controle.
O dispositivo opera até +95°C, mas garanta fluxo de ar ou dissipação adequada em sistemas de alta potência. A alimentação de 1,35V reduz a dissipação de potência, mas em arrays de memória densos, vias térmicas sob o encapsulamento FBGA podem ajudar a dissipar o calor.
Informações de conformidade
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
