NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16CP-DII por Nanya Technology e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,30 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Encapsulamento | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pinos | — | 96 |